主要特點(diǎn)：

• 通過(guò)搭載第7代IGBT與RFC※1二極管，降低功耗
• 實(shí)現(xiàn)高電流密度，有助于提高逆變器的輸出功率和效率
• 優(yōu)化端子布局，使并聯(lián)變得更加容易，支持各種逆變器結(jié)構(gòu)和容量
• 降低熱阻有助于提高逆變器系統(tǒng)的可靠性

※1：Relaxed Field of Cathode：三菱電機(jī)獨(dú)創(chuàng)的陰極側(cè)電子遷移率經(jīng)過(guò)優(yōu)化的二極管

支持各種逆變器結(jié)構(gòu)和容量的示例

封裝特點(diǎn)